Рiст кристалу здiйснюється за рахунок приєднання до нього нових атомiв, молекул чи бiльш складних агрегатiв. Контроль за приєднанням контролюється структурою кристалу.
Рiзна поверхнева енергiя для рiзного типу граней:
зменшується в ряду K - S - F-граней
Коселівська модель росту
Основні постулати моделі:
Шорсткі (K) гранi ростуть нормальним механiзмом
Гладкi (F) гранi формуються тангенцiальним ростом
Відхилення від коñелевської моделі при реальному рості.
Вплив домiшок на рiст кристалiв
Кiнетичний вплив домiшок здiйснюється через адсорбцiю їх поверхнею кристалiв, що ростуть.
Правило Панета: на кристалах бiльш мiцно адсорбуються iони, якi дають з iонами кристалу найменш розчиннi сполуки
Специфiчний i неспецифiчний вплив домiшок на кiнетику росту кристалiв.
Взаємодiя ростучих граней iз домiшками:
Ефект паркану Кабрери